IBMとSamsung、FinFETに比べて85%電力消費を節約できる新構造のトランジスタを発表 左がVTFETで右がFinFET。VTFETは垂直方向にトランジスタを形成し、電流も垂直方向に流す 記事に戻る SpecialPR ITmedia