SSDの容量、性能、耐久性、電力効率を高める「3D V-NAND」とは何か？

1xnmプロセスルールまで微細化した2Dプレーナ型NANDではセル間で電気的干渉があるため、データの信頼性を確保するためにコントローラが複雑なエラー訂正アルゴリズムを用いて書き込みを行なっている（写真＝左）。3D V-NANDではセル間の電気的な干渉がないため、よりシンプルなアルゴリズムで十分に信頼性が確保でき、書き込み速度が約2倍に向上している（写真＝右）