酸化ガリウムパワー半導体の6インチ基板上で成膜に成功、面内ばらつき約±3％

ウエハーの面積と膜厚の面内ばらつきの関係（3、4、6インチは実測値、点線は近似曲線。8インチは近似曲線からの予測）［クリックで拡大］ 出所：FLOSFIA