酸化ガリウムパワー半導体の6インチ基板上で成膜に成功、面内ばらつき約±3％

6インチサファイア基板上に成膜したα-Ga2O3エピタキシャルウエハー（左）と4インチウエハー（右）［クリックで拡大］ 出所：FLOSFIA