AlN系高周波トランジスタでポスト5Gへ、ミリ波帯79GHzの動作に成功

AlN系トランジスタ（Al組成85％）の（a）電子顕微鏡像（上面から撮影）と（b）ゲート電圧を＋3Vから−9Vまで変化させたときのドレイン電流−電圧特性［クリックで拡大］ 出所：NTT