イオン注入によりr-GeO2半導体にn型導電性を付与することに成功

イオン注入の前後におけるr-GeO2薄膜の表面の外観写真と面内における各箇所での膜厚の変化（左：イオン注入前、右：イオン注入後）［クリックで拡大］ 出所：Patentix