高周波GaNトランジスタの性能向上に役立つ「二次元電子ガス」散乱機構を解明

二次元電子ガスの移動度の温度依存性の測定値（左）。伝導帯の非放物線性に関する概念図（中央）。界面ラフネス散乱に関する概念図（右）、黄色のScAlN層（barrier）と水色のGaN層からなり、量子井戸（well）付近での散乱を表す［クリックで拡大］ 出所：東京大学