高周波GaNトランジスタの性能向上に役立つ「二次元電子ガス」散乱機構を解明

ScAlN/GaNヘテロ接合の断面図（左）。数値計算したエネルギーバンド図と電子分布（右）［クリックで拡大］ 出所：東京大学