メモリ動作の低電圧化や消費電力の削減に貢献する新たな強誘電体窒化物

（a）残留分極値と結晶の構造因子（u）の関係。（b）抗電界とSc／（Ga＋Al＋Sc）比の関係［クリックで拡大］ 出所：東京科学大学