世界初、半導体pn接合構造でスピン伝導観測に室温で成功

Ge pn接合を介したスピン注入技術の模式図。今回の研究では、上部の高性能磁性体（強磁性ホイスラー合金）から下部のn-Ge半導体層へ、スピン偏極電子が量子力学的バンド間トンネル伝導を介して高効率に注入され、室温においてスピン伝導が観測された［クリックで拡大］ 出所：東京都市大学