半導体ガラス基板に10μm以下の穴あけ新技術　割れなしで高アスペクト比実現

半導体基板ガラスへのレーザー微細穴あけ。EN-A1ガラスに対して、25μm間隔で直径10μm以下の穴あけ加工を深紫外レーザーで実現［クリックで拡大］ 出所：東京大学