二硫化モリブデンのナノリボンを一方向かつ高密度に合成する手法を開発

（a）（b）MoS2ナノリボンを半導体チャンネルとしたトランジスタの構造と実際の電子顕微鏡像。（c）室温でのトランジスタ特性。（d）極低温（4.2K）で得られたデバイス測定の結果。ひし形のダイヤモンドパターンが得られており、これは低次元物質特有の振る舞いとして理解される［クリックで拡大］ 出所：産業技術総合研究所