第一原理計算とAI技術を融合、半導体材料のシミュレーションを10万倍以上の速度に CMPスラリーによりシリコンウェハー表面が研磨される際のシミュレーション[クリックで拡大] 出所:レゾナック 記事に戻る 遠藤和宏,MONOist