次世代半導体パッケージに使えるガラスセラミックスコア基板を開発 GCコアのビアと断面画像、直径75μm、ピッチ250μm、基板厚み0.4mm(加工速度:2万穴以上/分)。ビアメカニクスのレーザ加工機にて加工[クリックで拡大] 出所:日本電気硝子 記事に戻る 遠藤和宏,MONOist