1000兆分の1アンペアレベルの微小電流標準の確立へ、産総研とNTTが前進

シリコン量子ドットによる電流発生のメカニズム(左)と2つの素子で発生した電流(右)[クリックで拡大] 出所:NTT

シリコン量子ドットによる電流発生のメカニズム(左)と2つの素子で発生した電流(右)[クリックで拡大] 出所:NTT