省エネ次世代パワー半導体の開発につながる材料シミュレーションとは

エピタキシャル層でのGaNの結晶成長のイメージ［クリックして拡大］　出所：「省エネルギー次世代半導体デバイス開発のための量子論マルチシミュレーション」の事後評価発表資料