省エネ次世代パワー半導体の開発につながる材料シミュレーションとは アモルファスAlSiO/GaN界面のイメージ[クリックして拡大] 出所:「省エネルギー次世代半導体デバイス開発のための量子論マルチシミュレーション」の事後評価発表資料 記事に戻る 遠藤和宏,MONOist