三菱電機がSBD内蔵SiC-MOSFETのサージ電流集中の原因を解明、新チップ構造で克服 SBD内蔵SiC-MOSFETの課題。チップ数に応じたサージ電流耐量が得られない[クリックで拡大] 出所:三菱電機 記事に戻る 朴尚洙,MONOist