三菱電機がSBD内蔵SiC-MOSFETのサージ電流集中の原因を解明、新チップ構造で克服

SBD内蔵SiC-MOSFETの課題。チップ数に応じたサージ電流耐量が得られない［クリックで拡大］ 出所：三菱電機