三菱電機がSBD内蔵SiC-MOSFETのサージ電流集中の原因を解明、新チップ構造で克服

SiCデバイスの適用分野。今回開発した技術は鉄道車両や電力などに用いられる大容量フルSiCパワーモジュール向けになる［クリックで拡大］ 出所：三菱電機