ロジック半導体の性能向上に貢献、産総研と都立大が次世代トランジスタ材料を開発

450℃熱処理後のSb2Te3、MoS2断面の電子顕微鏡写真およびラマンスペクトル［クリックで拡大］ 出所：産業技術総合研究所