電力損失がSiの20分の1、NTTが次々世代パワー半導体AlNのトランジスタ動作に成功

AlNなどのウルトラワイドバンドギャップ半導体はSiCやGaNよりも低損失と大電力化が可能になる［クリックで拡大］ 出所：NTT