電力損失がSiの20分の1、NTTが次々世代パワー半導体AlNのトランジスタ動作に成功 パワー半導体材料のバンドギャップと絶縁破壊電界[クリックで拡大] 出所:NTT 記事に戻る 朴尚洙,MONOist