電力損失がSiの20分の1、NTTが次々世代パワー半導体AlNのトランジスタ動作に成功

（a）金属とAlNでは難しいオーミック接触の形成について、（b）AlGaN組成傾斜層を挟むことで可能になる。（c）組成傾斜の有無によって電流−電圧特性に大きな違いがあることが分かる［クリックで拡大］ 出所：NTT