インテルが半導体プロセスノードを再定義、2024年にはオングストローム世代へ

トランジスタのゲート形状が全周ゲート型と呼ぶ構造になる「RibbonFET」(クリックで拡大) 出典:インテル

トランジスタのゲート形状が全周ゲート型と呼ぶ構造になる「RibbonFET」(クリックで拡大) 出典:インテル