東芝がトリプルゲートIGBTを開発、3つのゲート電極でスイッチング損失を4割削減 シリコンIGBTの応用例(左)とパワー半導体の市場規模の推移(右)(クリックで拡大) 出典:東芝 記事に戻る 朴尚洙,MONOist