SiCウエハーの欠陥を無害化するプロセスを開発、SiCデバイスのコスト低減へ

従来の機械研磨とCMPのプロセスを置き換えることができる「Dynamic AGE-ing」。BPD密度が高い品質の悪いSiCウエハーへの適用が可能であり、エピタキシャル層の成長時にもメリットが得られる（クリックで拡大） 出典：関西学院大学