SiCウエハーの欠陥を無害化するプロセスを開発、SiCデバイスのコスト低減へ

SiCデバイスの性能が期待される領域。中耐圧から高耐圧のパワー半導体への利用が見込まれている（クリックで拡大） 出典：関西学院大学