三菱電機から「世界最高レベル」のトレンチ型SiC-MOSFET、信頼性と量産性も確保

高濃度層の形成して素子抵抗率の低減効果を得やすくした(左)。実際に高濃度層を設けない場合と比べて、約25%の抵抗低減効果が得られた(右)(クリックで拡大) 出典:三菱電機

高濃度層の形成して素子抵抗率の低減効果を得やすくした(左)。実際に高濃度層を設けない場合と比べて、約25%の抵抗低減効果が得られた(右)(クリックで拡大) 出典:三菱電機