三菱電機から「世界最高レベル」のトレンチ型SiC-MOSFET、信頼性と量産性も確保

電界緩和構造を採用するためトレンチ底部に電界緩和層（左）を、トレンチ側面部に側面接地層を設けた（右）（クリックで拡大） 出典：三菱電機