三菱電機とAISTがダイヤモンド基板GaN-HEMTの開発に成功、無線機器の高効率化に 左:同研究におけるGaN-HEMTの作製法 右:同研究におけるブレークスルーポイント 出典:三菱電機 記事に戻る 松本貴志,MONOist