「SiC」と「GaN」のデバイス開発競争の行方は?(企業編)

図2 SiC FET関連の日本公開系特許出願件数の推移 電界効果トランジスタ(FET:Field Effect Transistor)についてまとめた。なお、ユーディナデバイスは2009年4月に住友電気工業の100%子会社となった(図のクリックで拡大)。

図2 SiC FET関連の日本公開系特許出願件数の推移 電界効果トランジスタ(FET:Field Effect Transistor)についてまとめた。なお、ユーディナデバイスは2009年4月に住友電気工業の100%子会社となった(図のクリックで拡大)。