SiC-MOSFETの課題克服へ、新材料を用いたゲート絶縁膜で信頼性を向上

AlONゲート絶縁膜を用いて試作したトレンチ型SiC-MOSFETの特性（クリックで拡大） 出典：大阪大学、京都大学、ローム、東京エレクトロン