ICEMOSがMEMS技術を用いた高耐圧SJ-MOSFETを開発、オムロンの野洲事業所に生産委託

図3　微細化によるオン抵抗の低減（提供：ICEMOS TECHNOLOGY）　グラフの中の2本の青い線が、SJ-MOSFETにおける耐圧とオン抵抗の特性を示している。素子ピッチを微細化することにより、SJ-MOSFETの特性は上側の青い線から下側の青い線に移行する。このため、同じ耐圧でもオン抵抗がより小さいものを実現できるようになる。