次世代パワーデバイスの電動自動車応用の可能性

図2　SiCスイッチングデバイスのベンチマーク　近年になって耐圧600〜1200VのSiCスイッチングデバイスの導通損失が急速に改善されてきている。ノーマリオフ型のパワーMOSFET開発が主流となり、現行のSi-SJMOSやSi-IGBTのさらに一桁下の特性オン抵抗を目指した開発が進められている。