「800V時代」のAIサーバ電源狙うローム EV減速を補う成長市場に 800V DCから50V DCへの変換にSiC MOSFETとGaN HEMTを用いた場合の比較。GaN構成では電力密度15kW/dm3を見込む[クリックで拡大] 記事に戻る 永山準,EE Times Japan