トレンチゲート型SiC MOSFETの効率／信頼性を両立する新技術

同技術採用1200Vトレンチゲート型SiC MOSFETと他社製トレンチゲート型SiC MOSFETのVth変動値の比較（測定条件：25℃、ゲート・ソース間電圧＝＋25V／−10V、Duty＝50％、400kHz、サイクル数1011時点）［クリックで拡大］出所：東芝D＆S