SiC-IGBT向け高精度シミュレーション技術を開発

左図は作製したSiC-PiNダイオードの300〜523Kにおける通電特性の実測結果とシミュレーション結果。右図は作製したSiC-PiNダイオードの300Kにおける通電特性の実測結果とシミュレーション結果の比較［クリックで拡大］ 出所：電力中央研究所