SiC-IGBT向け高精度シミュレーション技術を開発

左図は300〜523KにおけるTRPL測定の実測および計算結果。右図はTRPL測定結果の解析で得られたキャリア寿命の温度依存性［クリックで拡大］ 出所：電力中央研究所