新形成技術で薄膜p型GaNとの低抵抗接触を実現 超薄膜Mgアニールによる薄膜p型GaN表面改質のプロセスと評価結果[クリックで拡大] 出所:名古屋大学 記事に戻る 馬本隆綱,EE Times Japan