He・ナフサ・レジスト逼迫の続報――半導体工場停止が回避できている理由 図3 ドライエッチング装置における温度制御の原理[クリックで拡大] 出所:野尻一男(Nanotech Research) 『はじめての半導体ドライエッチング技術』(技術評論社)、90ページの図4-16 記事に戻る 湯之上隆(微細加工研究所),EE Times Japan