三菱電機、第5世代SiC MOSFETの核 オン抵抗25%減の独自構造 6インチから8インチへ移行することでコストの低減を図る。また、表面メタライズでは、顧客の多様な実装要求に対応する[クリックで拡大] 記事に戻る 永山準,EE Times Japan