次世代MRAM開発に向けた設計指針示す、東京大

左はMn3Sn（15〜200nm）／Ta（5nm）多層膜におけるSOT反転電流密度のMn3Sn膜厚依存度。中央はSOTでの磁気スイッチング観測時に印加した電力のMn3Sn膜厚依存性。右はSOTでのスイッチングに必要な電流を印加した時に、デバイスが到達する温度の計算結果［クリックで拡大］ 出所：東京大学