「国際メモリワークショップ（IMW）」が始まるまで

「電荷捕獲（チャージトラップ）方式」のキャパシタ構造。金属ゲートと半導体の間に、2種類の絶縁膜（窒化膜と酸化膜）をレイアウトした［クリックで拡大］ 出所：H. A. R. Wegener, Investigation of New Concepts of Adaptive Devices, Interim Scientific Report NAS12-570, Sperry Rand Research Center, September 1968