東芝D&Sがパワー半導体新製品、AIデータセンター高効率化に 左図はドレイン−ソース間のオン抵抗を比較、右図はドレイン−ソース間オン抵抗×ゲート入力電荷量の比較[クリックで拡大] 出所:東芝D&S 記事に戻る 馬本隆綱,EE Times Japan