超WBG半導体基板の大口径化へ道筋、東北大

上図が針状AlN種結晶。下図は針状AlN種結晶を水平配置し、毎分0.2Kの冷却速度で溶液成長法によりエピタキシャル成長させた後のSEM像［クリックで拡大］ 出所：東北大学