「まだ革新の余地」プレーナー技術を磨くWolfspeed、第5世代SiC MOSFET投入

左＝1200V品のターンオン波形比較。同等のdi/dt条件でも競合トレンチ品に比べ電流オシレーションを抑制している／右＝1200V品の逆回復特性比較。第5世代品は競合トレンチ品に比べピーク電流と過電圧を低減している［クリックで拡大］