「まだ革新の余地」プレーナー技術を磨くWolfspeed、第5世代SiC MOSFET投入 第5世代SiC MOSFETの性能向上。1200V品では同じダイサイズで第4世代比約33%の電流容量向上を実現した[クリックで拡大] 記事に戻る 永山準,EE Times Japan