ソニーとimec、次世代3D集積向け裏面接続技術を開発 TSVとMOLビアの位置ずれ(オーバーレイ)と接続抵抗の関係。local BDI構造により最大30nmの位置ずれを許容し、従来比で約3倍の位置ずれ許容範囲を実現した[クリックで拡大] 出所:imec 記事に戻る 永山準,EE Times Japan