ソニーとimec、次世代3D集積向け裏面接続技術を開発

セル高さ115nm、厚さ500nmバルクシリコンを想定した場合の、従来のvia-middle TSV方式（左）とlocal BDI TSV方式（右）の比較図［クリックで拡大］ 出所：imec