安価なシリコン上に縦型GaNデバイス作製へ、NIMS

左図はAL-IL形成技術によってエピタキシャル成長したGaN膜のイメージ。中図は試料の上下方向に電圧を印加した時の「電流−電圧」特性。右図はGaN膜のエピタキシャル成長の度合いを示すXDRφスキャン測定結果および、良好な結晶品質を示す室温フォトルミネッセンス測定の結果［クリックで拡大］ 出所：NIMS